First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs

Chang, W.H. ; Irisawa, T. ; et al.

In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615

Online academicJournal

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Titel:	First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
Autor/in / Beteiligte Person:	Chang, W.H. ; Irisawa, T. ; Ishii, H. ; Hattori, H. ; Ota, H. ; Takagi, H. ; Kurashima, Y. ; Uchida, N. ; Maeda, T.
Link:	Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615
Veröffentlichung:	2017
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9383 (print) ; 1557-9646 (print)
DOI:	10.1109/TED.2017.2756061
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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