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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SviliAiA, B. ; JovanoviA, V. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Parameter modeling for higher-order transport models in UTB SOI MOSFETs
    Vasicek, Martin ; Cervenka, Johann ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 7 (2008-09-01), Heft 3, S. 168-171
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    An, Xia ; Huang, Ru ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), Heft 3, S. 479-483
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Direktaufruf in ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -