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    The effects of surface passivation on the electrostatics of the UTB SOI devices
    Solanki, Ravi ; Medury, Aditya Sankar
    In: 2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS), 2021-09-01, S. 1-4
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    Effects of composition fraction on subthreshold behavior of InAsxSb(1-x) channel UTB MOSFETs
    Dey, Sulata ; Dey, Bikash ; et al.
    In: 2018 Emerging Trends in Electronic Devices and Computational Techniques (EDCT), 2018-03-01, S. 1-5
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    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Islam, Muhammad Mainul ; Sarker, Md. Shamim ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01, S. 59-63
    Online Konferenz
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    Gate Overdrive with Split-Circuit Biasing to Substitute for Body Biasing in FinFET and UTB FDSOI Circuits
    Whetzel, Andrew ; Stan, Mircea R.
    In: 2016 IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI (ISVLSI), 2016-07-01, S. 467-472
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    Analysis of Negative Capacitance UTB SOI MOSFETs considering Line-Edge Roughness and Work Function Variation
    Chiu, Pin-Chieh ; Hu, Vita Pi-Ho
    In: 2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2018-03-01, S. 13-15
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    Variability analysis of UTB SOI subthreshold SRAM considering Line-Edge Roughness, Work Function Variation and temperature sensitivity
    Hu, Vita Pi-Ho ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: 2011 IEEE International Conference on IC Design & Technology, 2011-05-01, S. 1-4
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    RDF effect induced by source/drain doping in nano-scale UTB SOI MOSFET with nominally un-doped channel
    Du, Linfeng ; Zhang, Shengdong
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2010-12-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Hu, V. P. H. ; Fan, M. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 12 (2013-07-01), Heft 4, S. 524-531
    Online academicJournal
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Chou, S. H. ; Fan, M. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, E. ; Gnudi, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
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    Optimal UTB FD/SOI device structure using thin BOX for sub-50-nm SRAM design
    Mukhopadhyay, S. ; Kim, Keunwoo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-04-01), Heft 4, S. 284-287
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    Modeling the threshold voltage of ultra-thin-body(UTB) long channel symmetric double-gate (DG) MOSFETs
    Medury, Aditya Sankar ; Majumdar, Kausik ; et al.
    In: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009-12-01, S. 1
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    Analytical modeling of threshold voltage for Nanoscale Symmetric Double Gate (SDG) MOSFET with Ultra Thin Body (UTB)
    Vishvakarma, S. K. ; Raj, B. ; et al.
    In: 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, 2007-12-01, S. 277
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    Single Metal Gate with Dual Work Functions for FD-SOI and UTB Double Gate Technologies
    Pham, D. ; Luan, H. ; et al.
    In: 2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings, International SOI Conference, 2006-10-01, S. 25
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    Statistical variability in n-channel UTB-FD-SOI MOSFETs under the influence of RDF, LER, MGG and PBTI
    Markov, Stanislav ; Idris, Niza Mohd ; et al.
    In: IEEE 2011 International SOI Conference, 2011-10-01, S. 1-2
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    A carrier-based analytic model for undoped (lightly doped) ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs
    He, Jin ; Zhang, Xing ; et al.
    In: 7th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED'06), 2006, S. 1
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    academicJournal
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    Online academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects.
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
    Online academicJournal
    Zugriff:
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