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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Analysis of the Output Conductance Degradation With the Substrate Bias in SOI UTB and UTBB Transistors
    Costa, F.J. ; Trevisoli, R. ; et al.
    In: 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2018-08-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    HEtero-layer-lift-off (HELLO) technology for enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2018-04-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Chang, W.H. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615
    Online academicJournal
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    Ion implantation after germanidation technique for low thermal budget Ge CMOS devices: From bulk Ge to UTB-GeOI substrate
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2017 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2017-04-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, E. ; Gnudi, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Arshad, M. K. M. ; Raskin, J. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Hole transport in UTB MOSFETs in strained-Si directly on insulator with strained-Si thickness less than 5 nm
    Aberg, I. ; Hoyt, J.L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-09-01), Heft 9, S. 661-663
    Online academicJournal
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