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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k · p schrödinger equation
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), Heft 2, S. 143-148
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), Heft 2, S. 137-142
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), Heft 5, S. 540-547
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    High frequency performance of sub-100nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO<subscript>2</subscript> gate stack
    Lim, Tao Chuan ; Rozeau, Olivier ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-04-01), Heft 4, S. 433-437
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-12-01), Heft 12, S. 1867-1871
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    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007-04-01), Heft 4, S. 611-616
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), Heft 4, S. 660-667
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online academicJournal
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