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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects.
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Direktaufruf in ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Direktaufruf in ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -