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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Islam, Muhammad Mainul ; Sarker, Md. Shamim ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01, S. 59-63
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Analysis of Negative Capacitance UTB SOI MOSFETs considering Line-Edge Roughness and Work Function Variation
    Chiu, Pin-Chieh ; Hu, Vita Pi-Ho
    In: 2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2018-03-01, S. 13-15
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    BSIM—SPICE Models Enable FinFET and UTB IC Designs
    Paydavosi, N. ; Venugopalan, S. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 1 (2013), S. 201-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    5 nm gate length Nanowire-FETs and planar UTB-FETs with pure germanium source/drain stressors and laser-free Melt-Enhanced Dopant (MeltED) diffusion and activation technique
    Liow, Tsung-Yang ; Tan, Kian-Ming ; et al.
    In: 2008 Symposium on VLSI Technology, 2008-06-01, S. 36
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
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    Ballistic hole injection velocity analysis in Ge UTB pMOSFETs: Dependence on body thickness, orientation and strain
    Mehrotra, Saumitra R ; Paul, Abhijeet ; et al.
    In: 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011-12-01, S. 1-2
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Performance enhancement of GaAs UTB pFETs by strain, orientation and body thickness engineering
    Paul, Abhijeet ; Mehrotra, Saumitra ; et al.
    In: 69th Device Research Conference, 2011-06-01, S. 233-234
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Investigation of the scalability of ultra thin body (UTB) double gate tunnel FET using physics based 2D analytical model
    Liu, Lu ; Datta, Suman
    In: 68th Device Research Conference, 2010-06-01, S. 15-16
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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