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    Comparison of Different Approaches used for Estimation of Electrostatics in UTB devices
    Mishra, Nalin Vilochan ; Kansal, Harshit ; et al.
    In: 2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO), 2022-07-04, S. 347-350
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    Scalability and parasitic effect of UTB SOI MOSFETs with raised S/D and sunk S/D
    Ke, Wei ; Zhang, Shengdong ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 291-294
    Online Konferenz
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    5 nm gate length Nanowire-FETs and planar UTB-FETs with pure germanium source/drain stressors and laser-free Melt-Enhanced Dopant (MeltED) diffusion and activation technique
    Liow, Tsung-Yang ; Tan, Kian-Ming ; et al.
    In: 2008 Symposium on VLSI Technology, 2008-06-01, S. 36
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    Analytical modeling of threshold voltage for Nanoscale Symmetric Double Gate (SDG) MOSFET with Ultra Thin Body (UTB)
    Vishvakarma, S. K. ; Raj, B. ; et al.
    In: 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, 2007-12-01, S. 277
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    Impact of random dopant induced fluctuations on sub-15nm UTB SOI 6T SRAM cells
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: 2005 IEEE International SOI Conference Proceedings, 2005, S. 61-62
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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