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55 Treffer

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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs.
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies, Jg. 28 (2022-03-01), Heft 3, S. 653-658
    academicJournal
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current.
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    Online academicJournal
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique.
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
    Online academicJournal
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    Online academicJournal
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model.
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 101 (2017), S. 362-372
    Online academicJournal
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    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges.
    Sahu, P.K. ; Mohapatra, S.K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 31 (2015-03-01), S. 175-183
    Online academicJournal
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    Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications.
    Mondal, Chandrima ; Biswas, Abhijit
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 75 (2014-11-01), S. 118-126
    Online academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs.
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander
    In: Solid-State Electronics, Jg. 99 (2014-09-01), S. 65-77
    Online academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects.
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
    Online academicJournal
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance.
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs.
    Arshad, Mohd Khairuddin Md ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    Online academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 57 (2011-03-01), Heft 1, S. 61-66
    Online academicJournal
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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo.
    Riddet, Craig ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-12-01), Heft 12, S. 1867-1871
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    A rigorous carrier-based analytic model for undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs.
    He, J. ; Bian, W. ; et al.
    In: Molecular Simulation, Jg. 34 (2008), Heft 1, S. 63-72
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs.
    Chowdhury, Murshed M. ; Trivedi, Vishal P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), Heft 5, S. 1125-1131
    Online academicJournal
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    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007-04-01), Heft 4, S. 611-616
    Online academicJournal
    Zugriff:
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