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    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges.
    Sahu, P.K. ; Mohapatra, S.K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 31 (2015-03-01), S. 175-183
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-12-01), Heft 12, S. 1867-1871
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -