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    Reports on Technology Findings from Malaviya National Institute of Technology Jaipur Provide New Insights (Impact of Temperature On the Reliability of Utb-dg-fe-tfets and Their Rf/analog and Linearity Parameter Dependence)
    In: Journal of Engineering, 2023-08-14, S. 2141
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Reports Outline Electron Devices Study Results from University of Twente (Interface States Characterization of Utb Soi Mosfets From the Subthreshold Current)
    In: Journal of Engineering, 2021-03-22, S. 2503
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Researchers at University of Regina Target Internet Interventions [Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)]
    In: Clinical Trials Week, 2019-12-16, S. 1473
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Investigators from KIIT University Have Reported New Data on Microstructures (Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model)
    In: Nanotechnology Business Journal, 2017-03-13, S. 720
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    New Nanotechnology Findings from Jadavpur University Discussed (Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications)
    In: Journal of Engineering, 2015-02-04, S. 1038
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    New Nanotechnology Findings from Jadavpur University Discussed (Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications)
    In: Nanotechnology Weekly, 2015-02-02, S. 215
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -