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    Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)
    Hadjistavropoulos, Heather D. ; Gullickson, Kirsten M. ; et al.
    In: Internet Interventions, Jg. 18 (2019-12-01), Heft -
    Online academicJournal
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    High frequency performance of sub-100nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack : Ultimate integration on silicon
    Lim, T. C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
    Online Konferenz
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs : EUROSOI
    Moldovan, O. ; Chaves, F. A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 12, S. 1867-1871
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 611-616
    Online Konferenz
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants : European solid-state device research conference; Papers selected from the 35th European solid-state device research conference: ESSDERC '05
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft NO 4, S. 660-667
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation : Ultimate Integration of Silicon; ULIS conference
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online Konferenz
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS : Ultimate integration of silicon
    Schulz, T. ; Pacha, C. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 48 (2004), Heft NO 4, S. 521-527
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Direktaufruf in ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Ammi, Sofiane ; Aissat, Abdelkader ; et al.
    In: ISSN: 1369-8001 ; Materials Science in Semiconductor Processing ; https://hal.science/hal-03140498 ; Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 96, pp.41-45. ⟨10.1016/j.mssp.2019.02.025⟩, 2019
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)
    Hadjistavropoulos, Heather D. ; Gullickson, Kirsten M. ; et al.
    2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-01653010 ; Solid-State Electronics, 2011, 57 (1), pp.61 - 66. ⟨10.1016/j.sse.2010.11.034⟩, 2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    Lim, T.C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-00471807 ; Solid-State Electronics, 2009, 53, pp.433-437. ⟨10.1016/j.sse.2008.09.022⟩, 2009
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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