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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander
    In: Solid State Electronics, Jg. 99 (2014-09-01), S. 65-77
    Online academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
    Online academicJournal
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
    Online academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66
    Online academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k · p schrödinger equation
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), Heft 2, S. 143-148
    Online academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), Heft 2, S. 137-142
    Online academicJournal
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    High frequency performance of sub-100nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack : Ultimate integration on silicon
    Lim, T. C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
    Online Konferenz
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs : EUROSOI
    Moldovan, O. ; Chaves, F. A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 12, S. 1867-1871
    Online Konferenz
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO 2 gate stack
    Lim, Tao Chuan ; Rozeau, Olivier ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 611-616
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants : European solid-state device research conference; Papers selected from the 35th European solid-state device research conference: ESSDERC '05
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft NO 4, S. 660-667
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation : Ultimate Integration of Silicon; ULIS conference
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online Konferenz
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS : Ultimate integration of silicon
    Schulz, T. ; Pacha, C. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 48 (2004), Heft NO 4, S. 521-527
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25 nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 611-616
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Sub-25 nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 660-667
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15 nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online academicJournal
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    An, Xia ; Huang, Ru ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 49 (2005), Heft 3, S. 479-483
    Online academicJournal
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Svilicic, B. ; Jovanovic, V. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551
    Online serialPeriodical
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the kp schrodinger equation
    Baumgartner, O. ; Karner, M. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 143-148
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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