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    academicJournal
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 22 (2022), S. 8-13
    Online serialPeriodical
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Hu, V. P. ; Fan, M. L. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, Jg. 12 (2013), Heft 4, S. 524-531
    Online serialPeriodical
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    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Guan, X. ; Yu, Z.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 101-105
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
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    academicJournal
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -