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92 Treffer

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    The Modulation Effect of LPCVD-Si<subscript> x </subscript>N<subscript> y </subscript> Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 9, S. 4828-4834
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 68 (2021), Heft 2, S. 497-502
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    academicJournal
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 65 (2018), Heft 3, S. 895-900
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Y. ; Kushwaha, P. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 64 (2017), Heft 10, S. 3986-3990
    Online serialPeriodical
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zhao, Yi ; Cheng, Ran ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 895-900
    Online academicJournal
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Hu, Chenming ; Lin, Yen-Kai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 3986-4000
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Chou, S. H. ; Fan, M. L. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 60 (2013), Heft 4, S. 1485-1489
    Online serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, E. ; Gnudi, A. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 4, S. 941-948
    Online serialPeriodical
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Arshad, M. K. ; Raskin, J. P. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Simulation of 'Ab Initio' Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    Riddet, C. ; Alexander, C. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 58 (2011), Heft 3, S. 600-608
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Chowdhury, Murshed M. ; Trivedi, Vishal P. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 54 (2008), Heft 5, S. 1125-1131
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Yunpeng ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 5, S. 1203-1210
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Chowdhury, M. M. ; Trivedi, V. P. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 54 (2007), Heft 5, S. 1125-1131
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Modeling Study of the Impact of Surface Roughness on Silicon and Germanium UTB MOSFETs
    Low, T. ; Li, M. F. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 11, S. 2430-2439
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    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOI MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Tian, Y. ; Huang, R. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 4, S. 561-568
    Online serialPeriodical
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigation and comparison of work function variation for FinFET and UTB SOI devices using a voronoi approach
    Fan, Ming-Long ; Chou, Shao-Heng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation of thermal noise in UTB GOI and SOI devices
    Pei, Yunpeng ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1203-1210
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A novel nanoscaled device concept: Quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Tian, Yu ; Zhang, Xing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 561-568
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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