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    (Invited) High Performance UTB GeOI n and pMOSFETs Featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) Technology : High purity and high mobility semiconductors (Symposium)
    Chang, W. H. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: ECS transactions, Jg. 86 (2018), Heft 10, S. 25-36
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    (Plenary) Physical Insights on the Design of UTB Devices, Including FinFETs : Advanced CMOS-compatible semiconductor devices (International symposium)
    Fossum, J. G.
    In: ECS transactions, Jg. 66 (2015), Heft 5, S. 3-12
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    (Invited) FinFET and UTB--How to Make Very Short Channel MOSFETs : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Hu, C.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 17-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Characteristic Variations Induced by Random Fluctuation of Source/Drain Lateral Distribution Dopant in Nano-Scale UTB SOI MOSFET : International Semiconductor Technology Conference; ISTC/CSTIC 2009
    Du, L. ; Deng, H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 18 (2009), Heft 1, S. 77-82
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Low-Field Electron Mobility in Stressed UTB SOI MOSFETs for Different Substrate Orientations : SiGe and Ge materials, processing and devices
    Ungersboeck, E. ; Sverdlov, V. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 7, S. 45-54
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    Konferenz
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    (Invited) High Performance UTB GeOI n and pMOSFETs Featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) Technology
    Hsin, Wen ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 86 (2018-07-23), Heft 10, S. 25-34
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    Konferenz
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    Konferenz
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    (Invited) High Performance UTB GeOI nand pMOSFETs Featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) Technology
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 86 (2018-07-23), Heft 10
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    (Invited) FinFET and UTB--How to Make Very Short Channel MOSFETs
    Hu, Chenming
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), Heft 9
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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