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    Use of spectral decomposition in identifying stratigraphic baffles below seismic resolution; A case study of UTB field, offshore Niger Delta
    Durogbitan, Abimbola ; Simon, Eyogwe ; et al.
    In: Journal of Applied Geophysics, Jg. 217 (2023-10-01)
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    Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)
    Hadjistavropoulos, Heather D. ; Gullickson, Kirsten M. ; et al.
    In: Internet Interventions, Jg. 18 (2019-12-01)
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 101 (2017), S. 362-372
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    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges
    Sahu, P.K. ; Mohapatra, S.K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 31 (2015-03-01), S. 175-183
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    Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications
    Mondal, Chandrima ; Biswas, Abhijit
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 75 (2014-11-01), S. 118-126
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander
    In: Solid State Electronics, Jg. 99 (2014-09-01), S. 65-77
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k · p schrödinger equation
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), Heft 2, S. 143-148
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), Heft 2, S. 137-142
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
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    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO 2 gate stack
    Lim, Tao Chuan ; Rozeau, Olivier ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 52 (2008), Heft 12, S. 1867-1871
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    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25 nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 611-616
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    Sub-25 nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 660-667
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15 nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    An, Xia ; Huang, Ru ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 49 (2005), Heft 3, S. 479-483
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    Teaching English: Computer-assisted Language Learning, Katja Heim, Markus Ritter. Schöningh, Paderborn (2012). 219 pp., price: €18.99, version: 1st edition, paperback, UTB vol. 3334, ISBN: 978-3-8252-3334-1
    Gilmour, Simon
    In: English for Specific Purposes, Jg. 32 (2013-10-01), Heft 4, S. 258-260
    Online review
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    Verkehrsgeographie [Transport Geography]. Helmut Nuhn, Markus Hesse. Grundriss Allgemeine Geographie, Ferdinand Schöningh UTB, Paderborn, München, Wien, Zürich (2006). 379 pp; Paperback, €18.90, ISBN: 978 3 8252 2687 9
    Lüttmerding, Attila ; Wilde, Mathias
    In: Journal of Transport Geography, Jg. 17 (2009), Heft 5, S. 413-414
    Online review
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