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    Laboratorní centrum UTB Zlín - stavebně technologický projekt
    Němec, Lukáš
    2015
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Stavebně technologický projekt vzdělávacího komplexu UTB ve Zlíně
    Valchař, Jan
    2020
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    La inteligencia emocional, las habilidades sociales y su relación con el rendimiento académico de los estudiantes de la asignatura Bases Biológicas de la Psicología de la carrera de Psicología Clínica de la Facultad de Ciencias Sociales y Jurídicas de la Educación de la Universidad Técnica de Babahoyo (UTB) - Ecuador
    Marcial Cotto, Norma Cruz
    In: Universidad Nacional Mayor de San Marcos, 2019
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores SOI-MOSFET fabricados em tecnologia de camadas ultra finas (UTB e UTBB)
    Costa, F. J.
    In: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI, 2018
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of Design Space for Ge UTB Negative Capacitance FETs and Fin-LER Induced Variability for Negative Capacitance FinFETs
    Lee, Ho-Pei ; 李禾培
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Full-band Schrödinger Poisson Solver for DG UTB SOI MOSFET
    2016
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Scaling and variability in ultra thin body silicon on insulator (UTB SOI) MOSFETs
    Mohd Zain, Anis Suhaila
    2013
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices using Voronoi Approach
    周劭衡
    2012
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Monte Carlo study of current variability in UTB SOI DG MOSFETs
    Riddet, Craig
    2008
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Electron transport in ultrathin-body fully depleted n-MOSFETS fabricated on strained silicon directly on insulator with body thickness ranging from 22nm to 25 nm
    Gomez, Leonardo, Ph. D. Massachusetts Institute of Technology
    2006
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -