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    Smart UTB: An IoT Platform for Smart Campus : Workshop on engineering applications
    Acuña, Leonardo Castellanos ; Narváez, Ray ; et al.
    In: Communications in computer and information science, Jg. 1431 (2021), S. 239-249
    Konferenz
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    The Modulation Effect of LPCVD-Si<subscript> x </subscript>N<subscript> y </subscript> Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 9, S. 4828-4834
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 22 (2022), S. 8-13
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 22 (2022), S. 8-13
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 22 (2022), S. 8-13
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    The Modulation Effect of LPCVD-Si<subscript> x </subscript>N<subscript> y </subscript> Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 9, S. 4828-4834
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 68 (2021), Heft 2, S. 497-502
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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    (Invited) High Performance UTB GeOI n and pMOSFETs Featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) Technology : High purity and high mobility semiconductors (Symposium)
    Chang, W. H. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: ECS transactions, Jg. 86 (2018), Heft 10, S. 25-36
    Konferenz
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    UTB III—V-OI-Si MOS transistor: the future transistor for VLSI design
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Materials, circuits and devices series, Jg. 73 (2019), Heft 2, S. 27-46
    serialPeriodical
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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Ammi, Sofiane ; Aissat, Abdelkader ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 96 (2019), S. 41-45
    Online serialPeriodical
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Ulrich Ermann, Ernst Langthaler, Marianne Penker und Markus Schermer (2018): Agro-Food Studies. Eine Einführung. 260 Seiten. Wien, Köln, Weimar: UTB Verlag
    Rückert-John, Jana
    In: Österreichische Zeitschrift für Soziologie, Jg. 45 (2020), Heft 1, S. 99-101
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 65 (2018), Heft 3, S. 895-900
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    (Plenary) Physical Insights on the Design of UTB Devices, Including FinFETs : Advanced CMOS-compatible semiconductor devices (International symposium)
    Fossum, J. G.
    In: ECS transactions, Jg. 66 (2015), Heft 5, S. 3-12
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    HAD fabricated on UTB AlGaN/GaN heterostructure for high‐sensitivity zero‐bias microwave detection
    Yun, Yu ; Xiong, Wei ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 55 (2019), Heft 24, S. 1303-1305
    Online serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    HAD fabricated on UTB AlGaN/GaN heterostructure for high‐sensitivity zero‐bias microwave detection
    Yun, Yu ; Xiong, Wei ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 55 (2019), Heft 24, S. 1303-1305
    Online serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    HAD fabricated on UTB AlGaN/GaN heterostructure for high-sensitivity zero-bias microwave detection
    Yun, Yu ; Xiong, Wei ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 55 (2019), Heft 24, S. 1303-1305
    Online serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Islam, Muhammad Mainul ; Kutubul Alam, Md Nur ; et al.
    In: IEEE journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017), Heft 5, S. 335-339
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Superlattices and microstructures, Jg. 101 (2017), S. 362-372
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Superlattices and microstructures, Jg. 101 (2017), S. 362-372
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Y. ; Kushwaha, P. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 64 (2017), Heft 10, S. 3986-3990
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Direktaufruf in IEEE Xplore (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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